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- 参数表 !
- Corner NN/TT
- LVTN（Low Threshold Voltage NMOS）
- 定义：指低阈值电压的N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOS）。通过降低器件开启电压（VthV_{th}），可提升电路在低电压下的开关速度，但会增加静态功耗。
- 工艺特性：通常需通过离子注入调整沟道掺杂浓度实现低阈值（如中的LVTN与LVTP对应低阈值PMOS/NMOS晶体管）。在先进制程（如28nm以下）中，LVTN常与HVT（高阈值）器件组合使用，以平衡速度与功耗。
- LVTP（Low Threshold Voltage PMOS）
- 定义：低阈值电压的P型金属氧化物半导体场效应晶体管（PMOS），与LVTN构成互补结构。用于低电压驱动电路或高速逻辑单元设计。
- 应用场景：在电源管理芯片（PMIC）中，LVTP可优化转换效率（如提到的HVTP/LVTP与LVTN的组合设计）。
- RVTN（Regular Threshold Voltage NMOS）
- 定义：常规阈值电压的NMOS，是标准逻辑单元的基础器件。阈值电压介于LVT（低阈值）与HVT（高阈值）之间，兼顾速度与功耗。
- 工艺兼容性：在90nm以下工艺中，RVT、SVT（标准阈值）、LVT等可通过调整掺杂浓度和栅极功函数金属层实现，且RVT通常无需额外掩模层（如所述）。
- RVTP（Regular Threshold Voltage PMOS）
- 定义：常规阈值电压的PMOS，与RVTN配合构成标准CMOS单元。在数字电路设计中广泛用于平衡时序和漏电流。
- SLVTN/SLVTP（Super Low Threshold Voltage NMOS/PMOS）
- 定义：超低阈值电压的NMOS/PMOS，阈值电压比LVT更低，适用于超低功耗或亚阈值电路设计。
- 技术挑战：需严格控制工艺波动，避免因阈值电压过低导致漏电剧增。在物联网（IoT）传感器芯片中常用于延长电池寿命。
- *总结与术语对照表
| 缩写 | 主要领域 | 全称/定义 |
|---|---|---|
| LVTN | 半导体制造 | 低阈值电压NMOS晶体管 |
| LVTP | 半导体制造/医学/计算机 | 低阈值电压PMOS晶体管 |
| RVTN | 半导体制造 | 常规阈值电压NMOS晶体管 |
| RVTP | 半导体制造/金融/交通 | 常规阈值电压PMOS晶体管 / 已实现方差期限溢价 / 罗阿诺克谷交通规划 |
| SLVTN | 半导体制造 | 超低阈值电压NMOS晶体管（推测性定义，资料未明确提及） |
| SLVTP | 半导体制造 | 超低阈值电压PMOS晶体管（推测性定义，资料未明确提及） |
- UUID
- Lot ID/ Wafer ID/ Wafer X/ Wafter Y