vault backup: 2025-05-08 10:04:31
This commit is contained in:
huchuan
parent
9b7e428281
commit
f4fe794c3c
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@ -15,7 +15,7 @@
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"syncMethod": "merge",
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"customMessageOnAutoBackup": false,
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"autoBackupAfterFileChange": false,
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"treeStructure": false,
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"treeStructure": true,
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"refreshSourceControl": true,
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"basePath": "",
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"differentIntervalCommitAndPush": false,
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@ -29,6 +29,7 @@
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"showFileMenu": true,
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"authorInHistoryView": "full",
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"dateInHistoryView": false,
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"diffStyle": "split",
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"lineAuthor": {
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"show": false,
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"followMovement": "inactive",
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@ -0,0 +1,30 @@
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- 参数表 ![[acfa54e3bc145c6d50a14df5d4c22812.png]]
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- Corner NN/TT
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- **LVTN（Low Threshold Voltage NMOS）**
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- **定义**：指**低阈值电压的N型金属氧化物半导体场效应晶体管**（NMOS）。通过降低器件开启电压（VthV_{th}），可提升电路在低电压下的开关速度，但会增加静态功耗。
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- **工艺特性**：通常需通过**离子注入调整沟道掺杂浓度**实现低阈值（如中的LVTN与LVTP对应低阈值PMOS/NMOS晶体管）。在先进制程（如28nm以下）中，LVTN常与HVT（高阈值）器件组合使用，以平衡速度与功耗。
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- **LVTP（Low Threshold Voltage PMOS）**
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- **定义**：**低阈值电压的P型金属氧化物半导体场效应晶体管**（PMOS），与LVTN构成互补结构。用于低电压驱动电路或高速逻辑单元设计。
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- **应用场景**：在电源管理芯片（PMIC）中，LVTP可优化转换效率（如提到的HVTP/LVTP与LVTN的组合设计）。
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- **RVTN（Regular Threshold Voltage NMOS）**
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- **定义**：**常规阈值电压的NMOS**，是标准逻辑单元的基础器件。阈值电压介于LVT（低阈值）与HVT（高阈值）之间，兼顾速度与功耗。
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- **工艺兼容性**：在90nm以下工艺中，RVT、SVT（标准阈值）、LVT等可通过调整**掺杂浓度**和**栅极功函数金属层**实现，且RVT通常无需额外掩模层（如所述）。
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- **RVTP（Regular Threshold Voltage PMOS）**
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- **定义**：**常规阈值电压的PMOS**，与RVTN配合构成标准CMOS单元。在数字电路设计中广泛用于平衡时序和漏电流。
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- **SLVTN/SLVTP（Super Low Threshold Voltage NMOS/PMOS）**
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- **定义**：**超低阈值电压的NMOS/PMOS**，阈值电压比LVT更低，适用于超低功耗或亚阈值电路设计。
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- **技术挑战**：需严格控制工艺波动，避免因阈值电压过低导致漏电剧增。在物联网（IoT）传感器芯片中常用于延长电池寿命。
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- **总结与术语对照表*
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- 
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| 缩写 | 主要领域 | 全称/定义 |
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| LVTN | 半导体制造 | 低阈值电压NMOS晶体管 |
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| LVTP | 半导体制造/医学/计算机 | 低阈值电压PMOS晶体管 |
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| RVTN | 半导体制造 | 常规阈值电压NMOS晶体管 |
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| RVTP | 半导体制造/金融/交通 | 常规阈值电压PMOS晶体管 / 已实现方差期限溢价 / 罗阿诺克谷交通规划 |
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| SLVTN | 半导体制造 | 超低阈值电压NMOS晶体管（推测性定义，资料未明确提及） |
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| SLVTP | 半导体制造 | 超低阈值电压PMOS晶体管（推测性定义，资料未明确提及） |
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- UUID
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- Lot ID/ Wafer ID/ Wafer X/ Wafter Y
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@ -1,22 +1,25 @@
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# 4月28日
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- BC6生产版本
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- 安全降压的操作 NOK
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- 资源回退 OK
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# 4月28日 4月29日
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- BC6 生产版本
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- BL1验证
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- 安全降压的操作
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- 频率设置的问题
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- 测试每颗芯片的结果一致性
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- DDR CONFIG
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- bsp修改了
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- sdk没人管
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- ppt
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- deepsleep
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- 叨哥反馈2.5确实不能跑
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- 请成强出一个调压的版本 给绍坤跑 成强反馈没啥功耗差别
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- 55版本
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- 绍坤测试
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- 长电智能
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- todo
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- ddrless
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- 0.6版本
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- bsp修改了 ok
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- sdk 简化 nok LAPI_SA6920_CONFIG_DDR
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- DEEPSLEEP
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- 2.5的deepsleep为什么不能跑 换了成强的bsp就可以跑
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- BC6PRO
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- IIC3支持
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- sensor库 sdk ok
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- sensor库 小核 nok
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- 调压 nok
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- boardinfo nok
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- pmic代码整改 nok
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- TODO
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- DDRLESS 功耗测量 @陈仕建
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- 工厂调压
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- 合入2.7
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# 4月25日
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- BC6生产版本 交出去了
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@ -233,3 +236,5 @@
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- 讨论烧写
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- 工具烧写0地址加密
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- 招聘
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[^1]: 111
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@ -0,0 +1,12 @@
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- 5月5日
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- sdk v2.6验证 bc6相关工作 --> bc6 pro相关工作
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- bl1验证
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- 乐平和产品反馈起不来， 显示进入到"input address:" ， 但是我这里可以
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- 何熙反馈是strapin的代码有问题。 我之所以测不出来问题是因为traceD4被强制拉低为0了
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- bsp ddr测试
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- sdk测试
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- V26
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- <span style="color:rgb(255, 0, 0)">v27合入</span> <span style="color:rgb(255, 0, 0)">feature</span>
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- <span style="color:rgb(255, 0, 0)">增加Case</span> <span style="color:rgb(255, 0, 0)">预期</span>
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v27测试双目/ 拿板子 / 计划
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@ -6,7 +6,8 @@ kanban-plugin: board
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## 紧急！
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- [ ] 明天上午采样张 imx681 最新软件 王品领 @{2025-04-17}
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- [ ] board_info方案完善 周三周四
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- [ ] 调压方案完善 周五周六
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## 阻塞
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@ -28,16 +29,13 @@ kanban-plugin: board
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## 开发
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- [ ] 双sensor NPU 狗叫的问题 @{2025-03-27}
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- [ ] 月底E4调试 @{2025-05-09}
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||||
- [ ] 做一个温度工具，可以生成随时间变化的温度曲线 @{2025-04-25}
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- [ ] ddr频率小工具
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## 问题跟踪
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- [ ] bc6调压维序问题
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- [ ] 诺存频率问题
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- 想一个办法抓波形
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- 测试其它颗粒
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## 文档
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@ -46,6 +44,11 @@ kanban-plugin: board
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## 完成
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- [ ] 明天上午采样张 imx681 最新软件 王品领 @{2025-04-17}
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- [ ] 诺存频率问题
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- 想一个办法抓波形
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- 测试其它颗粒
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- [ ] 月底E4调试 @{2025-05-09}
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- [ ] 反馈字节的5帧fps的测试结果 @{2025-03-10}
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- [ ] 整理一个对产品和对外文档发布流程
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- [ ] 产品报告
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Binary file not shown.
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After Width: | Height: | Size: 16 KiB |
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@ -1,6 +1,9 @@
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[[000整体看板]]
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[[工作看板]]
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[[3月日记]]
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[[看板]]
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[[4月日记]]
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[[5月日记]]
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[[10-Project/101-vault框架搭建/提纲|提纲]]
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